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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-P17 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 30 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-P17 | 元件数量： | 6 |
| 端子数量： | 17 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 450 ns | 标称接通时间 (ton)： | 700 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 6MBI35PC-120 | FUJI | Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
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| 6MBI35PC-120L | FUJI | Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
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| 6MBI35S-120 | FUJI | IGBT(1200V/35A) |
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| 6MBI35S-120L | FUJI | IGBT(1200V/6x35A) |
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| 6MBI35S-140 | FUJI | 1400V / 35A 6 in one-package |
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| 6MBI35S-I20 | FUJI | Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, M623, 17 PIN |
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