生命周期: | Obsolete | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X17 |
针数: | 17 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.84 | Is Samacsys: | N |
最大集电极电流 (IC): | 50 A | 集电极-发射极最大电压: | 1200 V |
配置: | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 门极-发射极最大电压: | 20 V |
JESD-30 代码: | R-XUFM-X17 | 元件数量: | 6 |
端子数量: | 17 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 280 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装: | NO |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | UPPER |
晶体管应用: | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称断开时间 (toff): | 450 ns | 标称接通时间 (ton): | 600 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
6MBI35S-140 | FUJI |
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1400V / 35A 6 in one-package | |
6MBI35S-I20 | FUJI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, M623, 17 PIN | |
6MBI35U4A-120-50 | FUJI |
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IGBT Module | |
6MBI450U-120 | ETC |
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IGBTs | |
6MBI450U-170 | ETC |
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IGBTs | |
6MBI450U4-120 | FUJI |
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IGBT MODULE | |
6MBI450U4-170 | FUJI |
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IGBT MODULE | |
6MBI450V-120-50 | FUJI |
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IGBT MODULE | |
6MBI450V-170-50 | FUJI |
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6-Pack(6 in 1) M626 | |
6MBI50-060 | FUJI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 600V V(BR)CES |