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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X29 | 针数： | 29 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.67 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 450 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | 3 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X29 | 元件数量： | 6 |
| 端子数量： | 29 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2250 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 1050 ns | 标称接通时间 (ton)： | 550 ns |
| VCEsat-Max： | 2.2 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 6MBI450V-170-50 | FUJI |
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6-Pack(6 in 1) M626 |
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| 6MBI50-060 | FUJI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 600V V(BR)CES |
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| 6MBI50-120 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) |
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| 6MBI50F-060 | FUJI |
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IGBT(600V 50A) |
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| 6MBI50F-120 | FUJI |
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IGBT(1200V 50A) |
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| 6MBI50FA060 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 50A I(C) |
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| 6MBI50FA-060 | ETC |
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| 6MBI50J060 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 50A I(C) |
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| 6MBI50J120 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) |
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| 6MBI50L-060 | FUJI |
获取价格 |
IGBT(600V 50A) |
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