是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | MODULE |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X29 | 针数: | 29 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.83 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC): | 600 A | 集电极-发射极最大电压: | 1200 V |
配置: | 3 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR | JESD-30 代码: | R-XUFM-X29 |
元件数量: | 6 | 端子数量: | 29 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称断开时间 (toff): | 410 ns | 标称接通时间 (ton): | 320 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
6MBI450U4-170 | FUJI |
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IGBT MODULE | |
6MBI450V-120-50 | FUJI |
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IGBT MODULE | |
6MBI450V-170-50 | FUJI |
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6-Pack(6 in 1) M626 | |
6MBI50-060 | FUJI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 600V V(BR)CES | |
6MBI50-120 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) | |
6MBI50F-060 | FUJI |
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IGBT(600V 50A) | |
6MBI50F-120 | FUJI |
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IGBT(1200V 50A) | |
6MBI50FA060 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 50A I(C) | |
6MBI50FA-060 | ETC |
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6MBI50J060 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 50A I(C) |