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6MBI450U4-170

更新时间： 2024-02-06 18:52:12

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6MBI450U4-170 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X29	针数：	29
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.81
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	600 A	集电极-发射极最大电压：	1700 V
配置：	3 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR	JESD-30 代码：	R-XUFM-X29
元件数量：	6	端子数量：	29
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	550 ns	标称接通时间 (ton)：	620 ns
Base Number Matches：	1

SPECIFICATION

IGBT MODULE

Device Name :

6MBI450U4-170

MS5F 6097

Type Name

Spec. No. :

S.Miyashita

Apr. 15 ’05

Y.Seki

T.Miyasaka

K.Yamada

MS5F6097

H04-004-07b

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
6MBI450V-120-50	FUJI	获取价格	IGBT MODULE
6MBI450V-170-50	FUJI	获取价格	6-Pack(6 in 1) M626
6MBI50-060	FUJI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 600V V(BR)CES
6MBI50-120	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| 3-PH BRIDGE \| 1.2KV V(BR)CES \| 50A I(C)
6MBI50F-060	FUJI	获取价格	IGBT(600V 50A)
6MBI50F-120	FUJI	获取价格	IGBT(1200V 50A)
6MBI50FA060	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| 3-PH BRIDGE \| 600V V(BR)CES \| 50A I(C)
6MBI50FA-060	ETC	获取价格
6MBI50J060	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| 3-PH BRIDGE \| 600V V(BR)CES \| 50A I(C)
6MBI50J120	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| 3-PH BRIDGE \| 1.2KV V(BR)CES \| 50A I(C)