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Datasheet > 晶体管 > IGBT> 6MBI10S-120L
6MBI10S-120L PDF预览

6MBI10S-120L

更新时间： 2024-09-18 22:20:55
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管电动机控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
2页 91K
描述
IGBT MODULE(1200V 6x10A)

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6MBI10S-120L 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X17
针数：17Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.83最大集电极电流 (IC)：15 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X17
元件数量：6端子数量：17
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：100 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：450 ns
标称接通时间 (ton)：600 nsBase Number Matches：1

6MBI10S-120L 数据手册

 浏览型号6MBI10S-120L的Datasheet PDF文件第2页 
6-Pack IGBT  
1200V  
6MBI 10S-120L  
6x10A  
IGBT MODULE ( S-Series )  
n Outline Drawing  
n Features  
• NPT-Technologie  
• Solderable Package  
• Square SC SOA at 10 x IC  
• High Short Circuit Withstand-Capability  
• Small Temperature Dependence of the Turn-Off  
Switching Loss  
• Low Losses And Soft Switching  
n Applications  
• High Power Switching  
• A.C. Motor Controls  
• D.C. Motor Controls  
• Uninterruptible Power Supply  
n Maximum Ratings and Characteristics  
n Equivalent Circuit  
• Absolute Maximum Ratings ( Tc=25°C)  
Items  
Collector-Emitter Voltage  
Gate -Emitter Voltage  
Symbols  
Ratings  
1200  
Units  
V
V
VCES  
VGES  
±
20  
Continuous  
1ms  
Continuous  
1ms  
IC  
15 / 10  
30 / 20  
15 / 10  
30 / 20  
100  
+150  
-40 ~ +125  
2500  
Collector  
Current (25°C / 80°C)  
IC PULSE  
-IC  
-IC PULSE  
PC  
Tj  
Tstg  
Vis  
A
Max. Power Dissipation  
Operating Temperature  
Storage Temperature  
Isolation Voltage  
W
°C  
°C  
V
A.C. 1min.  
Screw Torque  
Mounting *1  
3.5  
Nm  
~
Note: *1:Recommendable Value; 2.5 3.5 Nm (M5)  
• Electrical Characteristics ( at Tj=25°C )  
Items  
Zero Gate Voltage Collector Current  
Gate-Emitter Leackage Current  
Gate-Emitter Threshold Voltage  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Input capacitance  
Symbols  
ICES  
IGES  
VGE(th)  
VCE(sat)  
Cies  
Coes  
Cres  
tON  
tr  
tOFF  
tf  
VF  
trr  
Test Conditions  
VGE=0V VCE=1200V  
Min.  
Typ.  
Max.  
1.0  
200  
9.0  
Units  
mA  
µA  
V
±
=
VCE=0V VGE  
20V  
VGE=20V IC=10mA  
VGE=15V IC=10A  
VGE=0V  
VCE=10V  
f=1MHz  
6.0  
2.1  
1200  
V
Output capacitance  
Reverse Transfer capacitance  
pF  
VCC=600V  
IC=10A  
0.60  
0.40  
0.45  
0.10  
1.2  
0.6  
1.0  
0.3  
3.3  
350  
Turn-on Time  
Turn-off Time  
µs  
±
=
VGE  
15V  
RG=120W  
IF=10A VGE=0V  
IF=10A  
Diode Forward On-Voltage  
Reverse Recovery Time  
V
ns  
• Thermal Characteristics  
Items  
Symbols  
Rth(j-c)  
Rth(j-c)  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
1.25  
2.00  
Units  
IGBT  
Diode  
With Thermal Compound  
Thermal Resistance  
°C/W  
Rth(c-f)  
0.05  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
6MBI125S-120 FUJI

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6MBI15-060 FUJI

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 600V V(BR)CES
6MBI150FB060 ETC

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 		TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 150A I(C)
6MBI150FB-060 FUJI

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