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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XSFM-P11 |
| 针数： | 11 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.83 | Samacsys Confidence： | 4 |
| Samacsys Status： | Released | Samacsys PartID： | 2211541 |
| Samacsys Pin Count： | 11 | Samacsys Part Category： | Integrated Circuit |
| Samacsys Package Category： | Other | Samacsys Footprint Name： | 6MBI15LS-060-1 |
| Samacsys Released Date： | 2019-06-11 10:23:02 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH SWITCHING SPEED | 最大集电极电流 (IC)： | 15 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | JESD-30 代码： | R-XSFM-P11 |
| 元件数量： | 6 | 端子数量： | 11 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 1000 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 800 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 6MBI15S-120 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE ( S series)1200V / 15A |
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| 6MBI15S-1200L | FUJI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, M624, 17 PIN |
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| 6MBI15S-120L | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE ( S-Series ) |
|
| 6MBI180VB-120-50 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE |
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| 6MBI180VB-120-55 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE (V series) 1200V / 180A / 6 in one package |
|
| 6MBI180VX-120-50 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE |
|
| 6MBI180VX-120-55 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE (V series) 1200V / 180A / 6 in one package |
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| 6MBI20-060 | FUJI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES |
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| 6MBI200F-060 | FUJI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel |
|
| 6MBI200FB-060 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE |
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