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6MBI150U2B-060(P)

更新时间： 2024-01-26 09:07:27

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6MBI150U2B-060(P) 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X35	针数：	35
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	150 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR	JESD-30 代码：	R-XUFM-X35
元件数量：	6	端子数量：	35
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	480 ns	标称接通时间 (ton)：	400 ns
Base Number Matches：	1

SPECIFICATION

IGBT module

6MBI150U2B-060

MS5F5745

Device Name :

Type Name

Spec. No.

S.Ogawa

Apr. 21 ’04

Y.Seki

Apr. 21 ’04 T.Miyasaka

K.Yamada

MS5F 5745

H04-004-07b

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
6MBI150U4B-120	FUJI	IGBT MODULE	获取价格
6MBI150U4B-120-50	FUJI	6-Pack(6 in 1) M633	获取价格
6MBI150U4B-170	FUJI	IGBT MODULE	获取价格
6MBI150UB-120	ETC	IGBTs	获取价格
6MBI150UB-120-01	FUJI	Insulated Gate Bipolar Transistor	获取价格
6MBI150VB-060-50	FUJI	IGBT MODULE	获取价格