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6MBI150U2B-060(P)

更新时间： 2024-02-01 00:42:33

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其他 - ETC		双极性晶体管
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IGBTs

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6MBI150U2B-060(P) 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X35	针数：	35
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	150 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR	JESD-30 代码：	R-XUFM-X35
元件数量：	6	端子数量：	35
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	480 ns	标称接通时间 (ton)：	400 ns
Base Number Matches：	1

6MBI150U2B-060(P) 数据手册

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3.Absolute Maximum Ratings ( at Tc= 25°C unless otherwise specified ）

Maximum

Ratings

Items

Symbols

Conditions

Units

Collector-Emitter voltage

Gate-Emitter voltage

VCES

VGES

600

±20

150

Continuous

Icp

-Ic

1ms

300

150

Collector current

-Ic pulse

Tstg

300

500

150

Collector Power Dissipation

Junction temperature

Storage temperature

1 device

°C

-40 ~ +125

between terminal and copper base *1

between thermistor and others *2

Isolation

voltage

Viso

AC : 1min.

2500

3.5

VAC

N m

Screw

Torque

Mounting *3

(*1) All terminals should be connected together when isolation test will be done.

(*2) Two thermistor terminals should be connected together, each other terminals should be connected together

and shorted to base plate when isolation test will be done.

(*3) Recommendable Value : 2.5~3.5 Nm (M5)

4. Electrical characteristics ( at Tj= 25°C unless otherwise specified)

Characteristics

Items

Symbols

ICES

Conditions

VGE = 0V

VCE = 600V

VCE = 0V

VGE=±20V

VCE = 20V

Ic = 150mA

Units

min.

typ.

max.

Zero gate voltage

Collector current

1.0

Gate-Emitter

leakage current

IGES

200

7.7

Gate-Emitter

threshold voltage

VGE(th)

6.2

6.7

Tj= 25°C

Tj=125°C

Tj= 25°C

Tj=125°C

2.30

2.55

1.80

2.05

0.40

0.22

0.16

0.48

0.07

2.10

2.15

1.60

1.65

2.60

1.20

0.60

1.20

0.45

2.45

VCE(sat)

VGE=15V

Ic = 150A

(terminal)

Collector-Emitter

saturation voltage

VCE(sat)

(chip)

Cies

ton

tr (i)

toff

Input capacitance

Turn-on time

VCE=10V,VGE=0V,f=1MHz

Vcc = 300V

Ic = 150A

VGE=±15V

Rg = 24 Ω

µs

Turn-off time

Tj= 25°C

VGE=0V

(terminal)

Tj=125°C

Forward on voltage

Tj= 25°C

Tj=125°C

(chip)

trr

R lead

IF = 150A

Reverse recovery time

Lead resistance, terminal-chip *

IF = 150A

0.35

µs

mΩ

3.4

T = 25°C

T =100°C

T = 25/50°C

5000

495

3375

Resistance

Ω

465

3305

520

3450

B value

(*)Biggest internal terminal resistance among arm.

MS5F 5745

H04-004-03a

1 2 345 6 7...13

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