是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.56 |
配置: | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 4 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最高工作温度: | 150 °C |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 50 W | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
4N65-C | UTC |
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N-CH |
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4N65-E | UTC |
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N-CH |
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4N65F | LGE |
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场效应晶体管 |
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4N65F | UMW |
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种类:N-Channel;漏源电压(Vdss):650V;持续漏极电流(Id)(在25°C |
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4N65G-E-K08-5060-R | UTC |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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4N65G-E-TF1-T | UTC |
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Power Field-Effect Transistor, |
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4N65G-N-TMS-T | UTC |
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Power Field-Effect Transistor |
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4N65G-T2Q-T | UTC |
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4 Amps, 650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET |
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4N65G-TA3-T | UTC |
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4 Amps, 650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET |
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4N65G-TF1-T | UTC |
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4 Amps, 650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET |
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