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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-252 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.56 | 雪崩能效等级（Eas）： | 200 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 650 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A | 最大漏极电流 (ID)： | 4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 18 pF | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 16 A |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 285 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 180 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 4N65G-TND-R | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| 4N65G-TQ2-R | UTC |
获取价格 |
4 Amps, 650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 4N65G-TQ2-T | UTC |
获取价格 |
4 Amps, 650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 4N65-HC | UTC |
获取价格 |
N-CH |
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| 4N65K | UTC |
获取价格 |
4A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 4N65KG-T2Q-T | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| 4N65KG-T60-K | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 4N65KG-TA3-T | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 4N65KG-TF1-T | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| 4N65KG-TF2-T | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFET |
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