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4N65K

更新时间： 2024-01-03 08:21:02

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8页	334K
描述
4A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET

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4N65K 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.56
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高工作温度：	150 °C
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	50 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

4N65K 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

4N65K

Power MOSFET

4A, 650V N-CHANNEL

POWER MOSFET

DESCRIPTION

The UTC 4N65K is a high voltage power MOSFET designed to

have better characteristics, such as fast switching time, low gate

charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche

characteristic. This power MOSFET is usually used in high speed

switching applications including power supplies, PWM motor

controls, high efficient DC to DC converters and bridge circuits.

FEATURES

* R_DS(ON)= 2.5Ω @V_GS= 10 V

* Ultra Low Gate Charge ( typical 15 nC )

* Low Reverse Transfer Capacitance ( C_RSS= Typical 8.0 pF )

* Fast Switching Capability

* Avalanche Energy Specified

* Improved dv/dt Capability, High Ruggedness

SYMBOL

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Package

TO-220F

Packing

Tube

Lead Free

Halogen Free

4N65KG-TF3-T

4N65KL-TF3-T

Note: Pin Assignment: G: Gate D: Drain S: Source

www.unisonic.com.tw

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QW-R502-840.A

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