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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.56 | 雪崩能效等级（Eas）： | 260 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 650 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A | 最大漏极电流 (ID)： | 4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 106 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 16 A | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 4N65G-TF1-T | UTC |
获取价格 |
4 Amps, 650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 4N65G-TF2-T | UTC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| 4N65G-TF3-T | UTC |
获取价格 |
4 Amps, 650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 4N65G-TF3T-T | UTC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| 4N65G-TM3-T | UTC |
获取价格 |
4 Amps, 650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| 4N65G-TMS2-T | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| 4N65G-TMS4-T | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| 4N65G-TMS-T | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| 4N65G-TN3-R | UTC |
获取价格 |
4 Amps, 650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 4N65G-TN3-T | UTC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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