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3SK245-U55

更新时间： 2024-09-13 14:32:07
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 94K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPER MINIMOLD PACKAGE-4

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3SK245-U55 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.84
Is Samacsys：N外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最大漏极电流 (ID)：0.025 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：0.03 pF
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G4
元件数量：1端子数量：4
工作模式：DUAL GATE, DEPLETION MODE最高工作温度：125 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：0.25 W最小功率增益 (Gp)：20 dB
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

3SK245-U55 数据手册

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