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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.83 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 13 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.05 A |
| FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 3SK184P | PANASONIC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Ars |
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| 3SK184Q | PANASONIC |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Ars |
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| 3SK184R | PANASONIC |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Ars |
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| 3SK184TX | PANASONIC |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Ars |
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| 3SK186 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET |
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| 3SK186FI | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 3SK186FI-TL | RENESAS |
获取价格 |
UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, MPAK-4 |
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| 3SK186FI-TR | HITACHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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| 3SK186FI-TR | RENESAS |
获取价格 |
UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, MPAK-4 |
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| 3SK186FI-UL | HITACHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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