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31GF4/65

更新时间： 2024-09-17 06:55:27

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		功效二极管
页数	文件大小	规格书
4页	175K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 400V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2

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31GF4/65 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-201AD	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.74	其他特性：	FREE WHEELING DIODE
应用：	EFFICIENCY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-201AD
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值正向电流：	60 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	1.5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	400 V	最大反向恢复时间：	0.03 µs
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

31GF4/65 数据手册

31GF4

Vishay General Semiconductor

Ultrafast Plastic Rectifier

Major Ratings and Characteristics

I_F(AV)

V_RRM

I_FSM

t_rr

3.0 A

400 V

60 A

30 ns

1.25 V

150 °C

V_F

T_jmax.

DO-201AD

Features

Typical Applications

• Glass passivated chip junction

• Ultrafast reverse recovery time

• Low forward voltage drop

• Low switching losses, high efficiency

• High forward surge capability

• Solder Dip 260 °C, 40 seconds

For use in high frequency rectification and freewheel-

ing application in switching mode converters and

inverters for consumer, computer and Telecommuni-

cation

Mechanical Data

Case: DO-201AD

Epoxy meets UL-94V-0 Flammability rating

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002B and JESD22-B102D

E3 suffix for commercial grade

Polarity: Color band denotes cathode end

Maximum Ratings

T_A= 25 °C unless otherwise specified

Parameter

Symbol

V_RRM

Value

400

Unit

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

V_RMS

V_DC

280

400

Maximum DC blocking voltage

Maximum average forward rectified current,

0.375" (9.5 mm) lead length

with FIN

w/o FIN/PCB

I_F(AV)

3.0

1.5

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

Operating junction and storage temperature range

Reverse Avalanche Energy (8/20 µs surge)

T_J, T_STG

E_AR

- 40 to + 150

°C

Document Number 88529

21-Jul-05

www.vishay.com

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