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31GF4-E3/54

更新时间： 2024-11-09 14:50:55
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 功效二极管
页数 文件大小 规格书
4页 73K
描述
DIODE 1.5 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode

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31GF4-E3/54 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-201AD
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.39
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.25 VJEDEC-95代码：DO-201AD
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：60 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：1.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：400 V最大反向恢复时间：0.03 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
Base Number Matches：1

31GF4-E3/54 数据手册

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31GF4-E3  
Vishay General Semiconductor  
www.vishay.com  
Ultrafast Plastic Rectifier  
FEATURES  
• Glass passivated pellet chip junction  
• Ultrafast reverse recovery time  
• Low forward voltage drop  
• Low switching losses, high efficiency  
• High forward surge capability  
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106  
Available  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
DO-201AD  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in high frequency rectification and freewheeling  
application in switching mode converters and inverters for  
consumer, computer and telecommunication.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
3.0 A  
400 V  
VRRM  
MECHANICAL DATA  
IFSM  
60 A  
trr  
30 ns  
Case: DO-201AD  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
VF  
1.25 V  
150 °C  
DO-201AD  
Single  
Base P/N-E3  
-
RoHS-compliant, commercial grade  
TJ max.  
Package  
Diode variations  
Base P/N-M3 - halogen-free, RoHS-compliant, commercial  
grade  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
E3 and M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
Polarity: Color band denotes cathode end  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
VALUE  
400  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRMS  
280  
V
Maximum DC blocking voltage  
VDC  
400  
with FIN  
3.0  
Maximum average forward rectified current,  
0.375" (9.5 mm) lead length  
IF(AV)  
IFSM  
without FIN/PCB  
1.5  
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave superimposed on  
rated load  
60  
Operating junction and storage temperature range  
Reverse avalanche energy (8/20 μs surge)  
TJ, TSTG  
EAR  
-40 to +150  
10  
°C  
mJ  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
SYMBOL  
VALUE  
400  
UNIT  
Minimum reverse breakdown voltage  
10 μA  
VBR  
V
(1)  
Maximum instantaneous forward voltage 3.0 A  
VF  
1.25  
Maximum DC reverse current  
at rated DC blocking voltage  
IR  
trr  
20  
30  
μA  
ns  
Maximum reverse recovery time  
IF = 0.5 A, IR = 1.0 A, Irr = 0.25 A  
Note  
(1)  
Pulse test: 300 μs pulse width, 1 % duty cycle  
Revision: 07-Jul-17  
Document Number: 88529  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
31GF4-E3/73 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD, LEAD FREE, PLASTI
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