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2SK3938G

更新时间： 2024-10-02 18:48:11

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	426K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SSSMINI3-F2, 3 PIN

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2SK3938G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.82	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	0.1 A
最大漏源导通电阻：	12 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3938G 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Silicon MOSFETs (Small Signal)

2SK3938

Silicon N-channel MOSFET

For switching circuits

Unit: mm

+0.05

–0.02

+0.05

0.10

–0.02

 Features

0.33



High-speed switching



SSSMini type package, allowing downsizing of the equipment andꢀ

automatic insertion through the tape packing

+0.05

0.23

–0.02

 Absolute Maximum Ratings T_a= 25

(0.40)(0.40)

0.80±0.05

1.20±0.05

Parameter

Drain-source surrender voltage

Gate-source surrender voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Rating

Unit

5°

±12

100

Peak drain current

I_DP

200

Power dissipation

P_D

100

1: Gate

2: Source

3: Drain

Channel temperature

Storage temperature

125

SSSMini3-F1 Package

stg

–55 to +125

Marking Symbol: 6U

 Electrical Characteristics T_a= 25

Parameter

Drain-source surrender voltage

Drain-source cutoff current

Gate-source cutoff current

Gate threshold voltage

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_DSS

I_DSS

I_GSS

V_TH

I_D= 10 µA, V_GS= 0

V_DS= 20 V, V_GS= 0

1.0

±10

1.5

µA

V_GS±10 V, V_DS= 0

I_D= 1.0 µA, V_DS= 3 V

I_D= 10 mA, V_GS= 2.5 V

I_D= 10 mA, V_GS= 4.0 V

I_D= 10 mA, V_DS= 3 V, f = 1 kHz

0.5

1.0

Drain-source ON resistance

Forward transfer admittance

R_DS(on)

Ω

Y_fs

Short-circuit forward transfer capacitance

(Common source)

C_iss

Short-circuit output capacitance

(Common source)

C_oss

C_rss

V_DS= 3 V, V_GS= 0, f = 1 MHz

Reverse transfer capacitance

(Common source)

Turn-on time ^*

Turn-off time ^*

t_on

t_off

V_DD= 3 V, V_GS= 0 V to 3 V, I_D= 10 mA

V_DD= 3 V, V_GS= 3 V to 0 V, I_D= 10 mA

350

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : t_on, t_offmeasurement circuit

V_OUT

290 Ω

90%

10%

_GS

V_OUT

_GS

0 V to 3 V

10%

100

_DD

3 V

90%

50 Ω

_off

Publication date: December 2004

SJF00043AED

12 3

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