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2SK3974-01L

更新时间： 2023-04-15 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 229K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, KPACK, IPAK-3

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2SK3974-01L 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-251
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.84
雪崩能效等级（Eas）：129 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (ID)：1 A最大漏源导通电阻：12 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：2 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3974-01L 数据手册

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2SK3974-01L,S FUJI POWER MOSFET  
200509  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Super FAP-G Series  
Outline Drawings [mm]  
Features  
High speed switching  
No secondary breadown  
Avalanche-proof  
Low on-resistance  
Low driving power  
Applications  
Switching regulators  
DC-DC converters  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
See to P4  
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
VDS  
Ratings  
600  
600  
±1  
Unit  
V
Remarks  
Drain-source voltage  
V
A
A
V
A
VGS=-30V  
VDSX  
ID  
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
ID(puls]  
VGS  
±2  
Gate-source voltage  
±30  
1
Note *1  
Note *2  
Note *3  
Repetitive or non-repetitive  
IAR  
Non-repetitive  
Maximum avalanche energy  
Repetitive  
Maximum avalanche energy  
Maximum drain-source dV/dt  
Peak diode recovery dV/dt  
Maximum power dissipation  
mJ  
EAS  
129  
Equivalent circuit schematic  
3.0  
20  
mJ  
<
dVDS/dt  
dV/dt  
PD  
VDS 600V  
kV/μs  
kV/μs  
W
=
5
Note *4  
Drain(D)  
1.04  
°C  
Ta=25  
30  
°C  
Tc=25  
W
Operating and storage  
temperature range  
Tch  
+150  
°C  
Tstg  
-55 to +150 °C  
Gate(G)  
<
Note *1 Tch 150°C  
=
Source(S)  
Note *2 Starting Tch=25°C, IAS=0.4A, L=1480mH, VCC=60V, RG=50Ω  
EAS limited by maximum channel temperrature and avalanche current.  
See to ‘Avalanche Energy’ graph.  
Note *3 Repetitve rating : Pulse width limited by maximum channel temperature.  
See to ‘Transient Thermal impedance’ graph.  
<
<
<
Note *4 IF -ID, -di/dt=50A/μs, Vcc BVDSS, Tch 150°C  
=
=
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
Item  
Test Conditions  
μ
Drain-source breakdown voltage  
Gate threshold voltage  
ID= 250 A  
VGS=0V  
VDS=VGS  
V
600  
μ
V
ID= 250 A  
3.5  
4.5  
25  
μA  
Tch=25°C  
VDS=600V VGS=0V  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
Tch=125°C  
250  
100  
VDS=480V VGS=0V  
VGS=±30V  
VDS=0V  
ID=0.5A VGS=10V  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
nA  
Gate-source leakage current  
Drain-source on-state resistance  
Forward transcondutance  
Input capacitance  
9.8  
0.8  
90  
13  
0.7  
12.0  
Ω
S
0.4  
ID=0.5A VDS=25V  
VDS=25V  
Ciss  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
pF  
135  
20  
Output capacitance  
VGS=0V  
1.2  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time ton  
f=1MHz  
VCC=300V ID=0.5A  
ns  
9.0  
6.0  
15.0  
10.0  
33  
VGS=10V  
22  
27  
6.5  
td(off)  
tf  
Turn-off time toff  
RGS=10 Ω  
41  
10.0  
3.3  
QG  
nC  
Total Gate Charge  
VCC=300V  
ID=1A  
2.2  
QGS  
QGD  
VSD  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
1.6  
2.4  
VGS=10V  
0.96  
1.50  
V
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
IF=1A VGS=0V Tch=25°C  
IF=1A VGS=0V  
200  
0.55  
trr  
Qrr  
ns  
μC  
-di/dt=100A/μs  
Tch=25°C  
Thermalcharacteristics  
Item  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
Test Conditions  
Rth(ch-c)  
channel to case  
4.167  
°C/W  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
120  
°C/W  
http://www.fujielectric.co.jp/fdt/scd/  
1
1234

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与2SK3974-01L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK3974-01S FUJI

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 		Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
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