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2SK3981-01

更新时间： 2024-01-11 18:28:11
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富士电机 - FUJI /
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描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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2SK3981-01 数据手册

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2SK3981-01  
FUJI POWER MOSFET  
200511  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Super FAP-G Series  
Outline Drawings [mm]  
TO-220AB  
Features  
High speed switching  
No secondary breadown  
Avalanche-proof  
Low on-resistance  
Low driving power  
High voltage  
Applications  
Switching regulators  
DC-DC converters  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
VDS  
Ratings  
900  
Unit  
V
Remarks  
Drain-source voltage  
V
A
A
V
A
VGS=-30V  
VDSX  
ID  
900  
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
2.6  
ID(puls]  
VGS  
±10.4  
±30  
Gate-source voltage  
Note *1  
Note *2  
Note *3  
Repetitive or non-repetitive  
IAR  
2.6  
Non-repetitive  
Maximum avalanche energy  
Repetitive  
Maximum avalanche energy  
Maximum drain-source dV/dt  
Peak diode recovery dV/dt  
Maximum power dissipation  
mJ  
EAS  
349.1  
Equivalent circuit schematic  
EAR  
dVDS/dt  
9.0  
40  
mJ  
<
VDS 900V  
kV/µs  
kV/µs  
W
=
Drain(D)  
dV/dt  
PD  
5
Note *4  
90  
°C  
°C  
Tc=25  
2.02  
+150  
W
Ta=25  
Operating and storage  
Tch  
°C  
temperature range  
<
Tstg  
-55 to +150 °C  
Gate(G)  
Note *1 Tch 150°C  
=
Source(S)  
Note *2 Starting Tch=25°C, IAS=1.1A, L=524mH, VCC=100V, RG=50Ω  
EAS limited by maximum channel temperrature and avalanche current.  
See to ‘Avalanche Energy’ graph.  
Note *3 Repetitve rating : Pulse width limited by maximum channel temperature.  
See to ‘Transient Thermal impedance’ graph.  
<
<
<
Note *4 IF -ID, -di/dt=50A/µs, Vcc BVDSS, Tch 150°C  
=
=
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
BVDSS  
VGS(th)  
Item  
Test Conditions  
Drain-source breakdown voltage  
Gate threshold voltage  
µ
V
900  
ID= 250 A  
VGS=0V  
µ
V
3.0  
5.0  
25  
ID= 250 A  
VDS=VGS  
µA  
VDS=900V VGS=0V  
Tch=25°C  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
250  
100  
Tch=125°C  
VDS=720V VGS=0V  
VGS=±30V  
VDS=0V  
ID=1.3A VGS=10V  
ID=1.3A VDS=25V  
VDS=25V  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
nA  
Gate-source leakage current  
Drain-source on-state resistance  
Forward transcondutance  
Input capacitance  
4.8  
2.6  
330  
44  
2.5  
6.4  
Ω
S
1.3  
Ciss  
pF  
495  
66  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
Output capacitance  
VGS=0V  
5.0  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time ton  
f=1MHz  
VCC=600V ID=1.3A  
ns  
10.5  
6.5  
28  
15.8  
9.8  
42  
VGS=10V  
td(off)  
tf  
Turn-off time toff  
RGS=10 Ω  
20  
30  
13  
19.5  
6.5  
6.8  
QG  
nC  
Total Gate Charge  
VCC=450V  
ID=2.6A  
4.5  
4.3  
QGS  
QGD  
VSD  
trr  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
VGS=10V  
1.00  
1.50  
V
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
IF=2.6A VGS=0V Tch=25°C  
IF=2.6A VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
1.5  
4.0  
µs  
µC  
Qrr  
Tch=25°C  
Thermalcharacteristics  
Item  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
Test Conditions  
Rth(ch-c)  
channel to case  
1.389  
°C/W  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
62.0  
°C/W  
http://www.fujielectric.co.jp/fdt/scd/  
1
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