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2SK3574-AZ

更新时间： 2024-01-09 13:36:33

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瑞萨 - RENESAS		/
页数	文件大小	规格书
8页	86K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,48A I(D),TO-220AB

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2SK3574-AZ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	48 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	29 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

2SK3574-AZ 数据手册

2SK3574

★

PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)

1) TO-220AB(MP-25)

2) TO-262(MP-25 Fin Cut)

4.8 MAX.

10.6 MAX.

4.8 MAX.

1.3±0.2

10 TYP.

3.6±0.2

1.3±0.2

10.0 TYP.

2 3

1.3±0.2

2.8±0.2

0.5±0.2

0.75±0.3

2.54 TYP.

0.75±0.1

2.54 TYP.

0.5±0.2

1.Gate

2.Drain

3.Source

4.Fin (Drain)

2.8±0.2

1.Gate

2.Drain

3.Source

2.54 TYP.

4.Fin (Drain)

Note

4) TO-220SMD(MP-25Z)

3) TO-263(MP-25ZK)

4.8 MAX.

10 TYP.

10.0±0.2

4.45±0.2

1.3±0.2

0.4

1.3±0.2

No plating

8.4 TYP.

0.025 to

0.25

1.4±0.2

0.75±0.3

2.54 TYP.

0.5±0.2

2.54 TYP.

0.7±0.15

1.Gate

2.Drain

3.Source

2.54

0.25

4.Fin (Drain)

1.Gate

2.Drain

3.Source

4.Fin (Drain)

Note This package is produced only in Japan.

EQUIVALENT CIRCUIT

Drain

Remark The diode connected between the gate and

source of the transistor serves as a protector

against ESD. When this device actually used,

an additional protection circuit is externally

required if a voltage exceeding the rated voltage

may be applied to this device.

Body

Diode

Gate

Protection

Diode

Source

Data Sheet D16260EJ2V0DS

1...4 5 678

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与2SK3574-AZ相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3574-S	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3574-Z	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3574-Z	RENESAS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
2SK3574-ZK	RENESAS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
2SK3574-ZK	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3574-ZK-AZ	RENESAS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
2SK3574-ZK-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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2SK3575	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SK3575	TYSEMI	获取价格	4.5V drive available. Low on-state resistance, RDS(on)1 = 4.5m MAX Low gate charge