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2SK3574-AZ

更新时间： 2024-02-14 12:05:05

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瑞萨 - RENESAS		/
页数	文件大小	规格书
8页	86K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,48A I(D),TO-220AB

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2SK3574-AZ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	48 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	29 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

2SK3574-AZ 数据手册

2SK3574

DRAIN CURRENT vs.

FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS

DRAIN TO SOURCE VOLTAGE

150

100

V^GS= 10 V

= 150 C

75 C

25 C

−

55 C

4.5 V

0.1

0.01

V^DS= 10 V

Pulsed

V^DS- Drain to Source Voltage - V

V^GS- Gate to Source Voltage - V

GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.

CHANNEL TEMPERATURE

FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.

DRAIN CURRENT

2.5

100

= 10 V

Pulsed

= 1 mA

= 150 C

75 C

25°C

−55°C

1.5

0.5

0.1

-50

100

150

0.1

100

I^D- Drain Current - A

T^ch- Channel Temperature - °C

DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.

DRAIN CURRENT

DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.

GATE TO SOURCE VOLTAGE

Pulsed

V^GS= 4.5 V

I^D= 24 A

10 V

100

1000

I^D- Drain Current - A

V^GS- Gate to Source Voltage - V

Data Sheet D16260EJ2V0DS

1 2 345 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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