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2SK3574-AZ

更新时间： 2024-02-16 16:09:30

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瑞萨 - RENESAS		/
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8页	86K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,48A I(D),TO-220AB

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2SK3574-AZ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	48 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	29 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

2SK3574-AZ 数据手册

2SK3574

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T^A= 25°C)

CHARACTERISTICS

Zero Gate Voltage Drain Current

Gate Leakage Current

SYMBOL

I^DSS

TEST CONDITIONS

V^DS= 30 V, V^GS= 0 V

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

µA

±10

2.5

I^GSS

V^GS= ±20 V, V^DS= 0 V

V^DS= 10 V, I^D= 1 mA

V^DS= 10 V, I^D= 24 A

V^GS= 10 V, I^D= 24 A

V^GS= 4.5 V, I^D= 15 A

V^DS= 10 V

Gate Cut-off Voltage

V^GS(off)

| y^fs|

R^DS(on)1

R^DS(on)2

C^iss

1.5

7.0

Forward Transfer Admittance

Drain to Source On-state Resistance

10.1

13.5

mΩ

Input Capacitance

940

245

170

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

Turn-on Delay Time

Rise Time

C^oss

C^rss

V^GS= 0 V

f = 1 MHz

t^d(on)

t^r

t^d(off)

t^f

V^DD= 15 V, I^D= 24 A

V^GS= 10 V

Turn-off Delay Time

Fall Time

R^G= 10 Ω

Total Gate Charge

Q^G

V^DD= 24 V

Gate to Source Charge

Gate to Drain Charge

Body Diode Forward Voltage

Reverse Recovery Time

Reverse Recovery Charge

Q^GS

Q^GD

V^F(S-D)

t^rr

V^GS= 10 V

3.8

I^D= 48 A

I^F= 48 A, V^GS= 0 V

di/dt = 100 A/µs

1.1

Q^rr

24.8

★

TEST CIRCUIT 1 AVALANCHE CAPABILITY

TEST CIRCUIT 2 SWITCHING TIME

D.U.T.

= 25 Ω

90%

Wave Form

10%

90%

PG.

GS = 20 → 0 V

PG.

50 Ω

90%

BVDSS

10% 10%

Wave Form

d(on)

d(off)

toff

τ = 1 µs

Duty Cycle ≤ 1%

Starting Tch

TEST CIRCUIT 3 GATE CHARGE

D.U.T.

= 2 mA

PG.

50 Ω

Data Sheet D16260EJ2V0DS

123 4 5 6 7 8

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