5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2SK3033(TENTATIVE)
2SK3033(TENTATIVE) PDF预览

2SK3033(TENTATIVE)

更新时间： 2024-11-27 23:20:39
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC /
页数 文件大小 规格书
2页 37K
描述
2SK3033 (Tentative) - Silicon N-Channel Power F-MOS FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SK3033(TENTATIVE) 数据手册

 浏览型号2SK3033(TENTATIVE)的Datasheet PDF文件第2页 
Power F-MOS FETs  
2SK3033 (Tentative)  
Silicon N-Channel Power F-MOS FET  
■ Features  
● Avalanche energy capacity guaranteed  
● High-speed switching  
● Low ON-resistance  
unit: mm  
● No secondary breakdown  
● Low-voltage drive  
● High electrostatic breakdown voltage  
4.6±0.2  
9.9±0.3  
2.9±0.2  
φ3.2±0.1  
■ Applications  
● Contactless relay  
● Diving circuit for a solenoid  
● Driving circuit for a motor  
● Control equipment  
2.6±0.1  
1.2±0.15  
0.7±0.1  
1.45±0.15  
● Switching power supply  
0.75±0.1  
■ Absolute Maximum Ratings (TC = 25°C)  
2.54±0.2  
5.08±0.4  
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
V
Drain to Source breakdown voltage VDSS  
100  
1
2 3  
7
Gate to Source voltage  
DC  
Pulse  
Avalanche energy capacity  
VGSS  
ID  
±20  
V
1: Gate  
2: Drain  
3: Source  
±40  
A
Drain current  
IDP  
±80  
A
TO-220E Package  
EAS*  
80  
mJ  
Internal Connection  
Allowable power  
dissipation  
TC = 25°C  
Ta = 25°C  
60  
PD  
W
D
2
G
Channel temperature  
Storage temperature  
Tch  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
S
*
L = 0.1mH, IL = 40A, 1 pulse  
■ Electrical Characteristics (TC = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
min  
typ  
max  
10  
Unit  
µA  
µA  
V
Drain to Source cut-off current  
Gate to Source leakage current  
IDSS  
VDS = 80V, VGS = 0  
VGS = ±20V, VDS = 0  
D = 1mA, VGS = 0  
VDS = 10V, ID = 1mA  
RDS(on)1 VGS = 10V, ID = 20A  
IGSS  
±10  
Drain to Source breakdown voltage VDSS  
I
100  
1
Gate threshold voltage  
Vth  
2.5  
60  
75  
V
35  
40  
26  
mΩ  
mΩ  
S
Drain to Source ON-resistance  
RDS(on)2  
| Yfs |  
VGS = 4V, ID = 20A  
Forward transfer admittance  
Diode forward voltage  
VDS = 10V, ID = 20A  
IDR = 20A, VGS = 0  
13  
VDSF  
−1.4  
V
Input capacitance (Common Source) Ciss  
Output capacitance (Common Source) Coss  
Reverse transfer capacitance (Common Source) Crss  
2400  
530  
220  
12  
pF  
VDS = 10V, VGS = 0, f = 1MHz  
pF  
pF  
Turn-on time (delay time)  
Rise time  
td(on)  
tr  
ns  
VDD = 30V, ID = 20A  
20  
ns  
Fall time  
tf  
VGS = 10V, RL = 1.5Ω  
120  
600  
ns  
Turn-off time (delay time)  
Thermal resistance between channel and case  
Thermal resistance between channel and atmosphere  
td(off)  
Rth(ch-c)  
Rth(ch-a)  
ns  
2.08  
62.5  
°C/W  
°C/W  
1
12

中文翻译

下载PDF

与2SK3033(TENTATIVE)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK3034 PANASONIC

获取价格

 		Silicon N-Channel Power F-MOS FET
2SK303-4 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 2.5MA I(DSS) | TO-236AB
2SK3034(TENTATIVE) ETC

获取价格

 		2SK3034 (Tentative) - Silicon N-Channel Power F-MOS FET
2SK3035 PANASONIC

获取价格

 		Silicon N-Channel Power F-MOS FET
2SK303-5 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5MA I(DSS) | TO-236AB
2SK3035(TENTATIVE) PANASONIC

获取价格

 		Silicon N-Channel Power F-MOS FET
2SK3036 PANASONIC

获取价格

 		Silicon N-Channel Power F-MOS FET
2SK3037 PANASONIC

获取价格

 		Silicon N-Channel Power F-MOS FET
2SK3037(TENTATIVE) PANASONIC

获取价格

 		Silicon N-Channel Power F-MOS FET
2SK303G-V2-AE3-R UTC

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junc

与2SK3033(TENTATIVE)相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证