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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK3034
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2SK3034

更新时间： 2024-09-25 22:52:55
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
1页 27K
描述
Silicon N-Channel Power F-MOS FET

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2SK3034 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220E包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.9雪崩能效等级（Eas）：80 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：40 A
最大漏极电流 (ID)：40 A最大漏源导通电阻：0.04 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：60 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK3034 数据手册

  
Power F-MOS FETs  
2SK3034 (Tentative)  
Silicon N-Channel Power F-MOS FET  
■ Features  
● Avalanche energy capacity guaranteed  
● High-speed switching  
● Low ON-resistance  
unit: mm  
● No secondary breakdown  
● Low-voltage drive  
● High electrostatic breakdown voltage  
4.6±0.2  
9.9±0.3  
2.9±0.2  
φ3.2±0.1  
■ Applications  
● Contactless relay  
● Diving circuit for a solenoid  
● Driving circuit for a motor  
● Control equipment  
2.6±0.1  
1.2±0.15  
0.7±0.1  
1.45±0.15  
● Switching power supply  
0.75±0.1  
■ Absolute Maximum Ratings (TC = 25°C)  
2.54±0.2  
5.08±0.4  
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
V
Drain to Source breakdown voltage VDSS  
100  
1
2 3  
7
Gate to Source voltage  
DC  
Pulse  
Avalanche energy capacity  
VGSS  
ID  
±20  
V
1: Gate  
2: Drain  
3: Source  
±40  
A
Drain current  
IDP  
±80  
A
TO-220E Package  
EAS*  
80  
mJ  
Internal Connection  
Allowable power  
dissipation  
TC = 25°C  
Ta = 25°C  
60  
PD  
W
D
2
G
Channel temperature  
Storage temperature  
Tch  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
S
*
L = 0.1mH, IL = 40A, 1 pulse  
■ Electrical Characteristics (TC = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
min  
typ  
max  
10  
Unit  
µA  
µA  
V
Drain to Source cut-off current  
Gate to Source leakage current  
IDSS  
VDS = 80V, VGS = 0  
VGS = ±20V, VDS = 0  
D = 1mA, VGS = 0  
VDS = 10V, ID = 1mA  
RDS(on)1 VGS = 10V, ID = 20A  
IGSS  
±10  
Drain to Source breakdown voltage VDSS  
I
100  
1
Gate threshold voltage  
Vth  
2.5  
35  
40  
V
23  
27  
mΩ  
mΩ  
S
Drain to Source ON-resistance  
RDS(on)2  
| Yfs |  
VGS = 4V, ID = 20A  
Forward transfer admittance  
Diode forward voltage  
VDS = 10V, ID = 20A  
IDR = 20A, VGS = 0  
VDSF  
−1.3  
V
Input capacitance (Common Source) Ciss  
Output capacitance (Common Source) Coss  
Reverse transfer capacitance (Common Source) Crss  
3600  
850  
360  
15  
pF  
VDS = 10V, VGS = 0, f = 1MHz  
pF  
pF  
Turn-on time (delay time)  
Rise time  
td(on)  
tr  
ns  
VDD = 30V, ID = 20A  
40  
ns  
Fall time  
tf  
VGS = 10V, RL = 1.5Ω  
150  
930  
ns  
Turn-off time (delay time)  
Thermal resistance between channel and case  
Thermal resistance between channel and atmosphere  
td(off)  
Rth(ch-c)  
Rth(ch-a)  
ns  
2.08  
62.5  
°C/W  
°C/W  
1
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK303-4 ETC

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 		TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 2.5MA I(DSS) | TO-236AB
2SK3034(TENTATIVE) ETC

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2SK303G-V2-AE3-R UTC

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junc
2SK303G-V2-AQ3-R UTC

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor,

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