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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.57 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.02 A | FET 技术： | JUNCTION |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK303G-V2-AQ3-R | UTC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, |
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| 2SK303G-V3-AE3-R | UTC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junc |
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| 2SK303G-V4-T92-R | UTC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Junction FET |
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| 2SK303G-X-AE3-R | UTC |
获取价格 |
LOW-FREQUENCY GENERAL-PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS |
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| 2SK303G-X-T92-B | UTC |
获取价格 |
LOW-FREQUENCY GENERAL-PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS |
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| 2SK303G-X-T92-K | UTC |
获取价格 |
LOW-FREQUENCY GENERAL-PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS |
|
| 2SK303G-X-T92-R | UTC |
获取价格 |
LOW-FREQUENCY GENERAL-PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS |
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| 2SK303G-XX-A3C-R | UTC |
获取价格 |
LOW-FREQUENCY GENERAL-PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS |
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| 2SK303G-XX-AE3-R | UTC |
获取价格 |
LOW-FREQUENCY GENERAL-PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS |
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| 2SK303G-XX-AQ3-R | UTC |
获取价格 |
LOW-FREQUENCY GENERAL-PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS |
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