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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.57 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 配置： | SINGLE |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.02 A | FET 技术： | JUNCTION |
| JEDEC-95代码： | TO-236 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK3035(TENTATIVE) | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon N-Channel Power F-MOS FET |
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| 2SK3036 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon N-Channel Power F-MOS FET |
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| 2SK3037 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon N-Channel Power F-MOS FET |
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| 2SK3037(TENTATIVE) | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon N-Channel Power F-MOS FET |
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| 2SK303G-V2-AE3-R | UTC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junc |
|
| 2SK303G-V2-AQ3-R | UTC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, |
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| 2SK303G-V3-AE3-R | UTC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junc |
|
| 2SK303G-V4-T92-R | UTC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Junction FET |
|
| 2SK303G-X-AE3-R | UTC |
获取价格 |
LOW-FREQUENCY GENERAL-PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS |
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| 2SK303G-X-T92-B | UTC |
获取价格 |
LOW-FREQUENCY GENERAL-PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS |
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