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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK2826-S
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2SK2826-S

更新时间： 2024-01-17 05:20:44
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 76K
描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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2SK2826-S 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.3
雪崩能效等级（Eas）：490 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：70 A最大漏源导通电阻：0.0097 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：280 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK2826-S 数据手册

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DATA SHEET  
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR  
2SK2826  
SWITCHING  
N-CHANNEL POWER MOS FET  
INDUSTRIAL USE  
ORDERING INFORMATION  
PART NUMBER  
2SK2826  
DESCRIPTION  
This product is N-Channel MOS Field Effect Transistor  
designed for high current switching applications.  
PACKAGE  
TO-220AB  
TO-262  
2SK2826-S  
FEATURES  
• Super Low On-State Resistance  
2SK2826-ZJ  
TO-263  
DS(on)1  
GS  
D
R
R
= 6.5 mΩ (MAX.) (V = 10 V, I = 35 A)  
DS(on)2  
GS  
D
= 9.7 mΩ (MAX.) (V = 4.0 V, I = 35 A)  
iss  
iss  
• Low C : C = 7200 pF (TYP.)  
• Built-in Gate Protection Diode  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)  
GS  
DSS  
V
Drain to Source Voltage (V = 0 V)  
60  
V
DS  
GSS(AC)  
Gate to Source Voltage (V = 0 V)  
V
V
±20  
+20, –10  
±70  
V
V
DS  
GSS(DC)  
Gate to Source Voltage (V = 0 V)  
D(DC)  
I
Drain Current (DC)  
A
Drain Current (Pulse) Note1  
D(pulse)  
I
±280  
A
C
T
Total Power Dissipation (T = 25°C)  
P
100  
W
W
°C  
°C  
A
A
T
P
Total Power Dissipation (T = 25°C)  
1.5  
ch  
Channel Temperature  
T
150  
stg  
Storage Temperature  
T
–55 to + 150  
70  
Single Avalanche Current Note2  
Single Avalanche Energy Note2  
AS  
I
AS  
E
490  
mJ  
Notes 1. PW ≤ 10 µ s, Duty cycle ≤ 1 %  
2. Starting Tch = 25 °C, R = 25 Ω, V = 20 V → 0 V  
A
GS  
THERMAL RESISTANCE  
th  
Channel to Case  
R (ch-C)  
1.25  
83.3  
°C/W  
°C/W  
th  
Channel to Ambient  
R (ch-A)  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for  
availability and additional information.  
Document No.  
Date Published April 1999 NS CP(K)  
Printed in Japan  
D11273EJ2V0DS00 (2nd edition)  
The mark • shows major revised points.  
1998  
©
12345678

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与2SK2826-S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK2826-S-AZ NEC

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 		Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 60V, 0.0097ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
2SK2826-Z RENESAS

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 		70A, 60V, 0.0097ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220SMD, 3 PIN
2SK2826-Z-AZ NEC

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 		Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 60V, 0.0097ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
2SK2826-Z-E1-AZ RENESAS

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 		2SK2826-Z-E1-AZ
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 		SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
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2SK2827-01 FUJI

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2SK2828 HITACHI

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 		Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SK283 ETC

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 		TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 1.2MA I(DSS) | SOT-23

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