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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220 | 包装说明： | TO-220SMD, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.17 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 490 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 70 A | 最大漏极电流 (ID)： | 70 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0097 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 280 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2826-Z-AZ | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 60V, 0.0097ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| 2SK2826-Z-E1-AZ | RENESAS |
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2SK2826-Z-E1-AZ |
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| 2SK2826-ZJ | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
|
| 2SK2826-ZJ | RENESAS |
获取价格 |
70A, 60V, 0.0097ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, MP-25ZJ, 3 PIN |
|
| 2SK2826-ZJ-AZ | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 60V, 0.0097ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| 2SK2827-01 | FUJI |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| 2SK2828 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK283 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 1.2MA I(DSS) | SOT-23 |
|
| 2SK2830 | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SK2832-01 | FUJI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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