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2SK2833-R

更新时间: 2024-11-22 22:52:55
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富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 188K
描述
Power MOSFET

2SK2833-R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84Is Samacsys:N
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:120 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):50 A最大漏极电流 (ID):50 A
最大漏源导通电阻:0.045 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):200 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SK2833-R 数据手册

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