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2SK2768-01L

更新时间： 2024-11-23 22:19:59
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI /
页数 文件大小 规格书
2页 310K
描述
N-channel MOS-FET

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2SK2768-01L 技术参数

生命周期：Active包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.34其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：258 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.5 A最大漏极电流 (ID)：3.5 A
最大漏源导通电阻：5.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：80 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：14 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK2768-01L 数据手册

 浏览型号2SK2768-01L的Datasheet PDF文件第2页 
N-channel MOS-FET  
2SK2768-01L,S  
FAP-IIS Series  
900V 5,5W 3,5A 80W  
> Features  
> Outline Drawing  
- High Speed Switching  
- Low On-Resistance  
- No Secondary Breakdown  
- Low Driving Power  
- High Voltage  
- VGS = ± 30V Guarantee  
- Repetitive Avalanche Rated  
> Applications  
- Switching Regulators  
- UPS  
- DC-DC converters  
- General Purpose Power Amplifier  
> Maximum Ratings and Characteristics  
> Equivalent Circuit  
- Absolute Maximum Ratings (TC=25°C), unless otherwise specified  
Item  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
Drain-Source-Voltage  
V
900  
DS  
Continous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
I
3,5  
A
D
I
14  
±30  
A
D(puls)  
Gate-Source-Voltage  
V
V
GS  
I
3,5  
A
Repetitive or Non-Repetitive (Tch £ 150°C)  
Avalanche Energy  
AR  
E
258  
mJ  
W
°C  
°C  
AS  
Max. Power Dissipation  
Operating and Storage Temperature Range  
P
80  
D
T
150  
ch  
T
-55 ~ +150  
stg  
Electrical Characteristics (TC=25°C), unless otherwise specified  
-
Item  
Symbol  
Test conditions  
Min.  
900  
3,5  
Typ.  
4,0  
Max.  
Unit  
V
ID=1mA  
VGS=0V  
Drain-Source Breakdown-Voltage  
Gate Threshhold Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
V
(BR)DSS  
ID=1mA  
VDS=VGS  
Tch=25°C  
Tch=125°C  
VDS=0V  
V
4,5  
500  
1,0  
V
GS(th)  
VDS=900V  
I
10  
0,2  
10  
4
µA  
mA  
nA  
W
DSS  
V
GS=0V  
VGS=±30V  
ID=2A  
Gate Source Leakage Current  
Drain Source On-State Resistance  
Forward Transconductance  
Input Capacitance  
I
100  
5,5  
GSS  
VGS=10V  
VDS=25V  
R
DS(on)  
ID=2A  
g
2
S
fs  
VDS=25V  
C
450  
75  
40  
20  
40  
50  
25  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
A
iss  
VGS=0V  
f=1MHz  
VCC=600V  
ID=7A  
Output Capacitance  
C
oss  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-On-Time ton (ton=td(on)+tr)  
C
rss  
t
d(on)  
t
r
Turn-Off-Time toff (ton=td(off)+tf)  
VGS=10V  
RGS=10 W  
t
d(off)  
t
f
Tch=25°C  
Avalanche Capability  
I
L = 100µH  
3,5  
AV  
IF=2xIDR VGS=0V Tch=25°C  
IF=IDR VGS=0V  
Diode Forward On-Voltage  
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
V
1,0  
500  
3
V
SD  
t
ns  
µC  
rr  
-dIF/dt=100A/µs Tch=25°C  
Q
rr  
-
Thermal Characteristics  
Item  
Symbol  
Test conditions  
channel to case  
channel to air  
Min.  
Typ.  
Max.  
1,56  
Unit  
Thermal Resistance  
R
°C/W  
th(ch-c)  
R
75 °C/W  
th(ch-a)  
Collmer Semiconductor - P.O. Box 702708 - Dallas TX - 75370 - 972.233.1589 - 972.233.0481 Fax - www.collmer.com - 11/98  
12

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