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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | LEAD FREE PACKAGE-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 配置： | SINGLE |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.01 A | FET 技术： | JUNCTION |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2753-01 | FUJI |
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N-channel MOS-FET |
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| 2SK2754-01 | ETC |
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| 2SK2754-01L | FUJI |
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N-channel MOS-FET |
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| 2SK2754-01S | FUJI |
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N-channel MOS-FET |
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| 2SK2755 | FUJI |
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N-channel MOS-FET |
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| 2SK2755-01 | FUJI |
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N-channel MOS-FET |
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| 2SK2756-01R | FUJI |
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N-channel MOS-FET |
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| 2SK2757-01 | FUJI |
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N-channel MOS-FET |
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| 2SK2758-01L | FUJI |
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N-channel MOS-FET |
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| 2SK2758-01S | FUJI |
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N-channel MOS-FET |
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