生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.37 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 163 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 10 A |
最大漏极电流 (ID): | 10 A | 最大漏源导通电阻: | 0.9 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSSO-G3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 80 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 40 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SK2759 | FUJI |
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N-channel MOS-FET | |
2SK2759-01R | FUJI |
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N-channel MOS-FET | |
2SK276 | MITSUBISHI |
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Transistor, | |
2SK2760-01 | FUJI |
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N-channel MOS-FET | |
2SK2760-01R | ETC |
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STD MOSFET | |
2SK2761 | FUJI |
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N-channel MOS-FET | |
2SK2761-01MR | FUJI |
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N-channel MOS-FET | |
2SK2762 | FUJI |
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Power MOSFET | |
2SK2762-01 | ETC |
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2SK2762-01L | FUJI |
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Power MOSFET |