生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-220AB |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.35 |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 258 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 900 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 3.5 A | 最大漏极电流 (ID): | 3.5 A |
最大漏源导通电阻: | 5.5 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 80 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 14 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SK2767-01_1 | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
2SK2768-01 | ETC |
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2SK2768-01L | FUJI |
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N-channel MOS-FET | |
2SK2768-01S | FUJI |
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N-channel MOS-FET | |
2SK2769-01MR | FUJI |
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N-channel MOS-FET | |
2SK277 | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 350V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
2SK277 | RENESAS |
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7A, 350V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3, 2 PIN | |
2SK2770-01 | FUJI |
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N-channel MOS-FET | |
2SK2771-01R | FUJI |
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Power MOSFET | |
2SK2772 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 235V V(BR)DSS | 4A I(D) | SC-63 |