5秒后页面跳转
2SK2557 PDF预览

2SK2557

更新时间: 2024-09-30 23:20:39
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 392K
描述

2SK2557 数据手册

 浏览型号2SK2557的Datasheet PDF文件第2页 
注文コーNo. N 5 4 9 7 A  
No. N 5497A  
70999  
開発速No.5497さしかえてください。  
N チャネM OS シリコン電界効果トランジスタ  
2SK2557  
DC /DC ンバータ用超高速スイッチング  
特長 ・低オン抵。  
・超高速スイッチング。  
・4V 駆動。  
絶対最大定AbsoluteM axim um Ratings/Ta=25℃  
unit  
V
ドレイン・ソース電圧  
ゲート・ソース電圧  
ドレイン電流(DC)  
ドレイン電流(パルス)  
許容損失  
V
V
30  
±25  
7
DSS  
GSS  
V
I
D
A
I
DP  
PW 10µs,dutycycle1%  
セラミック基板(1000m m 2 ×0.8m m )着時  
48  
A
P
2.0  
W
D
チャネル温度  
Tch  
150  
保存周囲温度  
Tstg  
55150  
電気的特ElectricalCharacteristics/Ta=25℃  
m in  
30  
typ  
m ax unit  
ドレイン・ソース降伏電圧  
ドレイン・ソースしゃ断電流  
ゲート・ソースもれ電流  
ゲート・ソースしゃ断電圧  
順伝達アドミタンス  
V
I =1m A,V =0  
GS  
V
µA  
µA  
V
(BR)DSS  
D
I
DSS  
V
=30V,V =0  
GS  
100  
±10  
2.5  
DS  
GS  
DS  
DS  
I
GSS  
V
V
V
20V,V =0  
DS  
V
(off)  
=10V,I =1m A  
D
1.0  
8
GS  
yfs  
=10V,I =7A  
D
10  
27  
S
ドレイン・ソース間オン抵抗  
R
R
(on)1 I =7A,V =10V  
GS  
37 m Ω  
DS  
DS  
D
(on)2 I =4A,V =4V  
GS  
42  
60 m Ω  
D
入力容量  
出力容量  
帰還容量  
Ciss  
Coss  
Crss  
V
=10V,f=1M Hz  
=10V,f=1M Hz  
800  
630  
130  
pF  
DS  
DS  
DS  
V
V
pF  
pF  
=10V,f=1M Hz  
次ページへ続く。  
外形図ꢀ2116  
(unit:m m )  
8
5
1:Source  
2:Source  
3:Source  
4:Gate  
1
4
0.2  
5.0  
5:Drain  
6:Drain  
7:Drain  
8:Drain  
1.27  
0.595  
0.43  
SANYOSOP8  
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号  
70999SIIM /O3097TS寿◎祝TA-0476/21596YK 寿◎丹野 No.5497-1/2  

与2SK2557相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK2559 SHINDENGEN

获取价格

VZ Series Power MOSFET(200V 10A)
2SK2560 SHINDENGEN

获取价格

VZ Series Power MOSFET(200V 20A)
2SK2561-01R FUJI

获取价格

N-channel MOS-FET
2SK2562-01R FUJI

获取价格

N-channel MOS-FET
2SK2563 SHINDENGEN

获取价格

VX-2 Series Power MOSFET(600V4A)
2SK2564 SHINDENGEN

获取价格

VX-2 Series Power MOSFET(600V 8A)
2SK2568 HITACHI

获取价格

Silicon N-Channel MOS FET
2SK2568 RENESAS

获取价格

Silicon N Channel MOS FET
2SK2568-E RENESAS

获取价格

Silicon N Channel MOS FET
2SK2569 RENESAS

获取价格

Silicon N Channel MOS FET