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| 生命周期： | End Of Life | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.26 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.2 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2569ZN | HITACHI |
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Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| 2SK2569ZN | RENESAS |
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0.2A, 50V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK2569ZN-01 | HITACHI |
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0.2A, 50V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK2569ZN-TL | HITACHI |
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暂无描述 |
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| 2SK2569ZN-TL-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK2569ZN-TR | RENESAS |
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0.2A, 50V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK2569ZN-TR | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| 2SK2569ZN-TR-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK2569ZN-UR | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| 2SK2569ZN-UR | RENESAS |
获取价格 |
暂无描述 |
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