2SK2570ZL-TL-E

更新时间： 2024-10-01 06:19:27

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瑞萨 - RENESAS		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关光电二极管
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7页	173K
描述
Silicon N Channel MOS FET Low Frequency Power Switching

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2SK2570ZL-TL-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-59A	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.26	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.2 A	最大漏极电流 (ID)：	0.2 A
最大漏源导通电阻：	1.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	0.4 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK2570

Silicon N Channel MOS FET

Low Frequency Power Switching

REJ03G1019-0200

(Previous: ADE-208-574)

Rev.2.00

Sep 07, 2005

Features

•

Low on-resistance

_DS(on)= 0.8 Ω typ. (V_GS= 4 V, I_D= 100 mA)

•

2.5 V gate drive devices.

Small package (MPAK)

Outline

RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A

(Package name: MPAK)

1. Source

2. Gate

3. Drain

Note: Marking is “ZL–”

Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK2570ZL-TR	HITACHI	获取价格	0.2A, 20V, 4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK2570ZL-TR-E	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET Low Frequency Power Switching
2SK2570ZL-UL	RENESAS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 20V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
2SK2570ZL-UR	HITACHI	获取价格	暂无描述
2SK2570ZL-UR	RENESAS	获取价格	暂无描述
2SK2571	PANASONIC	获取价格	Silicon N-Channel Power F-MOS FET
2SK2572	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 15A I(D) \| TO-247VAR
2SK2573	PANASONIC	获取价格	Silicon N-Channel Power F-MOS FET
2SK2573(TENTATIVE)	ETC	获取价格	2SK2573 (Tentative) - N-Channel Power F-MOS FET
2SK2574	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 20A I(D) \| SOT-186