生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-3PF |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.83 |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 600 V |
最大漏极电流 (ID): | 9 A | 最大漏源导通电阻: | 1.2 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 80 W |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
晶体管元件材料: | SILICON | 最大关闭时间(toff): | 360 ns |
最大开启时间(吨): | 165 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SK2562-01R | FUJI |
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N-channel MOS-FET | |
2SK2563 | SHINDENGEN |
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VX-2 Series Power MOSFET(600V4A) | |
2SK2564 | SHINDENGEN |
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VX-2 Series Power MOSFET(600V 8A) | |
2SK2568 | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET | |
2SK2568 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET | |
2SK2568-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET | |
2SK2569 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET | |
2SK2569 | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET | |
2SK2569ZN | HITACHI |
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Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- | |
2SK2569ZN | RENESAS |
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0.2A, 50V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |