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页数 | 文件大小 | 规格书 |
12页 | 405K | |
描述 | ||
VX-2 Series Power MOSFET(600V 8A) |
是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-220AB | 包装说明: | FTO-220, 3 PIN |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.91 | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 600 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 8 A | 最大漏极电流 (ID): | 8 A |
最大漏源导通电阻: | 1.2 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e0 | 湿度敏感等级: | 2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 50 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 24 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
2SK2943 | ALLEGRO |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, TO-220AB, TO-220F, FM20, 3 PIN | |
2SK1419 | SANYO |
功能相似 |
Very High-Speed Switching Applications |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SK2568 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET | |
2SK2568 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET | |
2SK2568-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET | |
2SK2569 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET | |
2SK2569 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET | |
2SK2569ZN | HITACHI |
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Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- | |
2SK2569ZN | RENESAS |
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0.2A, 50V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | |
2SK2569ZN-01 | HITACHI |
获取价格 |
0.2A, 50V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | |
2SK2569ZN-TL | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 | |
2SK2569ZN-TL-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |