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2SK2554

更新时间： 2024-09-30 22:52:55
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Silicon N-Channel MOS FET

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2SK2554  
Silicon N-Channel MOS FET  
ADE-208-359 D  
5th. Edition  
Application  
High speed power switching  
Features  
•
•
•
•
Low on-resistance  
RDS(on) = 4.5 mΩ typ.  
High speed switching  
4 V gate drive device can be driven from 5 V source  
Outline  
TO-3P  
D
1
G
2
3
1. Gate  
2. Drain  
(Flange)  
3. Source  
S
1234567...10

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