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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK2553(S)TR
2SK2553(S)TR PDF预览

2SK2553(S)TR

更新时间： 2024-10-01 13:00:23
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体开关晶体管功率场效应晶体管电源开关
页数 文件大小 规格书
9页 96K
描述
50A, 60V, 0.016ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

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2SK2553(S)TR 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.27Is Samacsys：N
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：50 A最大漏源导通电阻：0.016 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK2553(S)TR 数据手册

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2SK2553(L), 2SK2553(S)  
Silicon N Channel MOS FET  
High Speed Power Switching  
REJ03G1015-1000  
(Previous: ADE-208-357H)  
Rev.10.00  
Sep 07, 2005  
Application  
High speed power switching  
Features  
•
•
•
•
Low on-resistance  
RDS(on) = 7 mΩ typ.  
High speed switching  
4 V gate drive device can be driven from 5 V source  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0004AE-A  
(Package name: LDPAK(L))  
RENESAS Package code: PRSS0004AE-B  
(Package name: LDPAK(S)-(1))  
D
4
4
1. Gate  
G
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
1
2
3
1
2
3
S
Rev.10.00 Sep 07, 2005 page 1 of 8  
1234567...9

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