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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SFM | 包装说明： | FTO-220, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.92 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 45 A | 最大漏极电流 (ID)： | 45 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.018 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | 2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 55 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 55 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 985 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 240 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2292-01L | FUJI |
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N-channel MOS-FET |
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| 2SK2292-01S | FUJI |
获取价格 |
N-channel MOS-FET |
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| 2SK2293 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3A I(D) | SOT-186 |
|
| 2SK2293C7 | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 900V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| 2SK2294 | ETC |
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|
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| 2SK2295 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 4A I(D) | SOT-186 |
|
| 2SK2298 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 7A I(D) | SOT-186 |
|
| 2SK2298C7 | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| 2SK2299 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | SOT-186 |
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| 2SK2299N | ROHM |
获取价格 |
Switching (450V, 7A) |
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