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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220FP | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.83 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A | 最大漏极电流 (ID)： | 4 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 30 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2298 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 7A I(D) | SOT-186 |
|
| 2SK2298C7 | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
|
| 2SK2299 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | SOT-186 |
|
| 2SK2299N | ROHM |
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Switching (450V, 7A) |
|
| 2SK2300 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | SOT-186 |
|
| 2SK2300C7 | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
|
| 2SK2302 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 5A I(D) | SIP |
|
| 2SK2303 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 10A I(D) | SOT-186 |
|
| 2SK2303C7 | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
|
| 2SK2304 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | SOT-186 |
|
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