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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| JEDEC-95代码： | TO-236 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2303 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 10A I(D) | SOT-186 |
|
| 2SK2303C7 | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
|
| 2SK2304 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | SOT-186 |
|
| 2SK2304C7 | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
|
| 2SK2306 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-252VAR |
|
| 2SK2306F5 | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
|
| 2SK2306TL | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
|
| 2SK2306TR | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
|
| 2SK2311 | TOSHIBA |
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N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS CHOPPER REGULATOR, DC- |
|
| 2SK2311(SM) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,25A I(D),TO-263ABVAR |
|
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