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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220FP |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 15 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 30 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2302 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 5A I(D) | SIP |
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| 2SK2303 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 10A I(D) | SOT-186 |
|
| 2SK2303C7 | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
|
| 2SK2304 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | SOT-186 |
|
| 2SK2304C7 | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
|
| 2SK2306 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-252VAR |
|
| 2SK2306F5 | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
|
| 2SK2306TL | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
|
| 2SK2306TR | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2SK2311 | TOSHIBA |
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N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS CHOPPER REGULATOR, DC- |
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