生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.84 |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 250 V |
最大漏极电流 (ID): | 4 A | 最大漏源导通电阻: | 1.1 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 20 W |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
晶体管元件材料: | SILICON | 最大关闭时间(toff): | 55 ns |
最大开启时间(吨): | 45 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SK2292-01S | FUJI |
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N-channel MOS-FET | |
2SK2293 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3A I(D) | SOT-186 | |
2SK2293C7 | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 900V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S | |
2SK2294 | ETC |
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2SK2295 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 4A I(D) | SOT-186 | |
2SK2298 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 7A I(D) | SOT-186 | |
2SK2298C7 | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S | |
2SK2299 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | SOT-186 | |
2SK2299N | ROHM |
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Switching (450V, 7A) | |
2SK2300 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | SOT-186 |