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2SK2009TE85R

更新时间： 2024-02-12 06:47:23
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 268K
描述
TRANSISTOR 200 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, FET General Purpose Small Signal

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2SK2009TE85R 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.82
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：0.2 A最大漏源导通电阻：2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-236
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK2009TE85R 数据手册

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2SK2009  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type  
2SK2009  
High Speed Switching Applications  
Unit: mm  
Analog Switch Applications  
•
•
•
High input impedance.  
Low gate threshold voltage: V = 0.5~1.5 V  
th  
Excellent switching times: t = 0.06 μs (typ.)  
on  
t
off  
= 0.12 μs (typ.)  
•
•
•
Low drain-source ON resistance: R  
= 1.2 Ω (typ.)  
DS (ON)  
Small package.  
Enhancement-mode  
Marking  
Equivalent Circuit  
JEDEC  
JEITA  
TO-236MOD  
SC-59  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
TOSHIBA  
2-3F1F  
Characteristics  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
Weight: 0.012 g (typ.)  
V
30  
±20  
V
V
DS  
Gate-source voltage  
DC drain current  
V
GSS  
I
200  
mA  
mW  
°C  
D
Drain power dissipation  
Channel temperature  
Storage temperature range  
P
200  
D
ch  
stg  
T
150  
T
−55~150  
°C  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Note: This transistor is electrostatic sensitive device. Please handle with caution.  
1
2007-11-01  
12345

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