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2SK2027-01

更新时间： 2024-09-24 22:06:19
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI /
页数 文件大小 规格书
2页 213K
描述
N-channel MOS-FET

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2SK2027-01 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.27
其他特性：AVALANCHE RATED配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (ID)：8 A
最大漏源导通电阻：1.2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：80 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：210 ns
最大开启时间（吨）：75 nsBase Number Matches：1

2SK2027-01 数据手册

 浏览型号2SK2027-01的Datasheet PDF文件第2页 
N-channel MOS-FET  
2SK2027-01  
FAP-IIA Series  
600V 1,2W  
8A  
80W  
> Features  
> Outline Drawing  
- High Speed Switching  
- Low On-Resistance  
- No Secondary Breakdown  
- Low Driving Power  
- High Voltage  
- VGS = ± 30V Guarantee  
- Avalanche Proof  
> Applications  
- Switching Regulators  
- UPS  
- DC-DC converters  
- General Purpose Power Amplifier  
> Maximum Ratings and Characteristics  
> Equivalent Circuit  
-
Absolute Maximum Ratings (TC=25°C), unless otherwise specified  
Item  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
Drain-Source-Voltage  
V
600  
DS  
V
I
I
600  
8
32  
V
A
A
Drain-Gate-Voltage (RGS=20KW)  
Continous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
DGR  
D
D(puls)  
Gate-Source-Voltage  
V
±30  
V
GS  
Max. Power Dissipation  
Operating and Storage Temperature Range  
P
T
T
80  
150  
-55 ~ +150  
W
°C  
°C  
D
ch  
stg  
Electrical Characteristics (TC=25°C), unless otherwise specified  
-
Item  
Symbol  
Test conditions  
Min.  
600  
2,5  
Typ.  
3,0  
Max.  
Unit  
V
V
Drain-Source Breakdown-Voltage  
Gate Threshhold Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
V
ID=1mA  
VGS=0V  
(BR)DSS  
V
ID=1mA  
VDS=600V  
GS=0V  
VGS=±30V  
ID=4A  
VDS=VGS  
Tch=25°C  
Tch=125°C  
VDS=0V  
VGS=10V  
VDS=25V  
3,5  
500  
1,0  
100  
1,2  
GS(th)  
I
10  
0,2  
10  
1,0  
8
1500  
140  
30  
µA  
mA  
nA  
W
S
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
A
DSS  
V
Gate Source Leakage Current  
Drain Source On-State Resistance  
Forward Transconductance  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-On-Time ton (ton=td(on)+tr)  
I
GSS  
R
DS(on)  
g
ID=4A  
4
fs  
C
VDS=25V  
VGS=0V  
f=1MHz  
VCC=300V  
ID=8A  
VGS=10V  
RGS=10 W  
2200  
210  
45  
30  
45  
135  
75  
iss  
C
oss  
C
rss  
t
20  
30  
90  
50  
d(on)  
t
r
Turn-Off-Time toff (ton=td(off)+tf)  
t
d(off)  
t
f
Avalanche Capability  
I
L = 100µH  
Tch=25°C  
8
AV  
Continous Reverse Drain Current  
Pulsed Reverse Drain Current  
Diode Forward On-Voltage  
Reverse Recovery Time  
I
I
V
t
8
32  
1,5  
A
A
V
ns  
µC  
DR  
DRM  
IF=2xIDR VGS=0V Tch=25°C  
IF=IDR VGS=0V  
-dIF/dt=100A/µs Tch=25°C  
1,0  
450  
3
SD  
rr  
Reverse Recovery Charge  
Q
rr  
-
Thermal Characteristics  
Item  
Symbol  
Test conditions  
channel to air  
Min.  
Typ.  
Max.  
75  
Unit  
°C/W  
Thermal Resistance  
R
th(ch-a)  
R
channel to case  
1,56 °C/W  
th(ch-c)  
Collmer Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX - 75370 - 972-233-1589 - FAX 972-233-0481 - http://www.collmer.com  
12

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