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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220ML |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.29 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 250 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 12 A | 最大漏源导通电阻： | 0.35 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 30 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 48 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2012 | SANYO |
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Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SK2013 | TOSHIBA |
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N CHANNEL MOS TYPE (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATION) |
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| 2SK2013_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL MOS TYPE (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATION |
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| 2SK2013_09 | TOSHIBA |
获取价格 |
Audio Frequency Power Amplifier Application |
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| 2SK2013O | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 180V V(BR)DSS | 1A I(D) | SC-67 |
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| 2SK2013-O | TOSHIBA |
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暂无描述 |
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| 2SK2013Y | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 180V V(BR)DSS | 1A I(D) | SC-67 |
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| 2SK2013-Y | TOSHIBA |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SK2018 | FUJI |
获取价格 |
N-channel MOS-FET |
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| 2SK2018-01 | FUJI |
获取价格 |
N-channel MOS-FET |
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