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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.31 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3 A | 最大漏源导通电阻： | 5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1618L | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK1618S | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK161-GR | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 5MA I(DSS) | SPAK |
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| 2SK161-GRTPE4 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, FET RF Small Signal |
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| 2SK161-O | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 1MA I(DSS) | SPAK |
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| 2SK161-OTPE4 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, FET RF Small Signal |
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| 2SK161TPE4 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, FET RF Small Signal |
|
| 2SK161-Y | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 2.5MA I(DSS) | SPAK |
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| 2SK161-YTPE4 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, FET RF Small Signal |
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| 2SK1620 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET |
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